Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

A healthy young man presenting with multiple rib fractures.

В отделение поступил 32-летний мужчина, не имеющий других заболеваний, кроме жалоб на боль в области ребер справа и в области груди после подъема тяжелого предмета. Пациент также сообщил о нескольких переломах ребер год тому назад, ранее связываемых с кашлем. При осмотре у пациента обнаружена болезненность ребер с обеих сторон. Рентген грудной клетки показал множественные сросшиеся переломы шес...

متن کامل

Аспекты влияния традиций церковного дискурса в автобиографической прозе XIX в.

Краткое содержание Данная статья посвящена анализу традиций жанра «духовных грамот» в русской литературе XIX столетия. К одному из современных направлений литературоведения относится изучение автобиографической прозы: автобиография, исповедь, мемуары, дневники, письма и т.п. Исследование автобиографической прозы базируется на изучении контекста исторической феминологии, гендерной ист...

متن کامل

Room Temperature NDR Performance of GaInAs based SE - RTBT

106204-9494 IJECS-IJENS © August 2010 IJENS I J E N S  Abstract— Superlattice emitter resonant tunneling bipolar transistor (SE-RTBT) is facing problem due to thermal transfer of electrons over barrier which causes diminishing negative differential resistance (NDR) effect. Therefore resonant tunneling diode (RTD) with higher quasibound state energy causes transfer of electrons by RT effect ins...

متن کامل

Observation of temperatureinsensitive emission wavelength in GaInAs strained multiplequantumwire heterostructures

Related Articles Deep traps and enhanced photoluminescence efficiency in nonpolar a-GaN/InGaN quantum well structures J. Appl. Phys. 111, 033103 (2012) Deep traps in nonpolar m-plane GaN grown by ammonia-based molecular beam epitaxy Appl. Phys. Lett. 100, 052114 (2012) Growth and photoluminescence of self-catalyzed GaP/GaNP core/shell nanowires on Si(111) by gas source molecular beam epitaxy Ap...

متن کامل

RAMAN SCATTERING IN MBE GaInAs-InP QUANTUM WELLS

The phonon modes in GaInAs-InP heterostructures were studied by means of Rarnan scatterin . The mode frequencies were found to occur at the bulk values and to be well-defined even for layers of 251. The phonon intensity ratios were found to depend very strongly on the incident laser power and we attribute this to screening of the modes by photoexcited carriers. Introduction Rarnan scattering st...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Письма в журнал технической физики

سال: 2019

ISSN: 0320-0116

DOI: 10.21883/pjtf.2019.24.48802.17996